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½Ç¸®ÄÜ Å¾çÀüÁö ÀÌÈÄÀÇ °íÈ¿À² žçÀüÁö °³¹ß¿¡ ÁýÁß
  • Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø ž籤¿¬±¸½Ç ¼ÛÈñÀº ¹Ú»ç
  • ½ÂÀÎ 2018.01.19 10:14
  • ´ñ±Û 0
Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø, ½Ç¸®ÄÜ Å¾çÀüÁö Ç÷§Æû ÅëÇØ °íÈ¿À² Á¦Ç° ¿¬±¸ °³¹ß

[Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø Å¾籤¿¬±¸½Ç ¼ÛÈñÀº ¹Ú»ç] ÇöÀç °áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö ±â¼úÀº È£ÁÖÀÇ UNSW¿¡¼­ ¹ßÇ¥ÇÑ PERL(Passivated Emitter Rear Local diffused) ±¸Á¶¸¦ Áß½ÉÀ¸·Î ÃÖ±Ù¿¡´Â Selective ContactÇü Å¾çÀüÁö¿Í ÀÌÁ¾Á¢ÇÕ, ÈĸéÀü±ØÇü ±¸Á¶¸¦ °áÇÕÇÑ HBC(Heterojuction Back Contact) ±¸Á¶ÀǠžçÀüÁö°¡ ÃÖ°í È¿À²À» ±â·ÏÇÏ°í ÀÖ´Ù.

Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø °áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö Ç÷§Æû ¼¾ÅÍ [»çÁø=Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø Å¾籤¿¬±¸½Ç]

2014³â Æijª¼Ò´Ð(Panasonic)Àº HBC ±¸Á¶¸¦ Àû¿ëÇØ 25.6% È¿À²ÀÇ °áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö¸¦ °³¹ßÇß°í, 2017³â¿¡´Â Ä«³×Ä«(KANEKA)¿¡¼­ 26.6% È¿À²ÀǠžçÀüÁö¸¦ ¹ßÇ¥ÇØ ¼¼°è ÃÖ°í È¿À²À» °»½ÅÇßÀ¸¸ç ¾ç»êÇü Å¾çÀüÁöÀÇ °æ¿ì PERC(Passivated Emitter and Rear Contact) ±¸Á¶ÀǠžçÀüÁö°¡ 22% ÀÌ»óÀÇ ³ôÀº È¿À²À» º¸ÀÌ°í ÀÖ´Ù.

Àü ¼¼°èÀûÀ¸·Î °áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö ±â¼úÀ» ¿¬±¸ ÁßÀΠ±â°üÀ¸·Î´Â µ¶ÀÏ ÇÁ¶ó¿îÈ£ÇÁ ISE(Fraunhofer ISE), º§±â¿¡ IMEC, ¹Ì±¹ NREL, È£ÁÖ UNSW, ÀϺ» Æijª¼Ò´Ð ¹× Ä«³×Ä«, Áß±¹ Æ®¸®³ª¼Ö¶ó(Trina Solar) ¹× Â¡ÄÚ¼Ö¶ó(Jinko Solar) µîÀÌ ÀÖÀ¸¸ç, Å¾籤 ±âÃʱâ¼úºÎÅÍ »ê¾÷¿¡ Àû¿ëÇÒ ¼ö Àִ ÀÀ¿ë ±â¼ú±îÁö ´Ù¾çÇÑ ¿¬±¸ °á°ú¸¦ ¹ßÇ¥ÇÏ°í ÀÖ´Ù.

°áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö ÁÖ¿ä ±¹¿Ü¿Ü ¿¬±¸±â°ü. [Ç¥=Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø Å¾籤¿¬±¸½Ç]

µ¶ÀÏ ÇÁ¶ó¿îÈ£ÇÁ ISE´Â TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact) ±¸Á¶¸¦ Àû¿ëÇØ ´Ü°áÁ¤ 25.6%, ´Ù°áÁ¤ 21.9% È¿À²ÀǠžçÀüÁö¸¦ °³¹ßÇß°í, º§±â¿¡ IMECÀº n-PERT(Passivated Emitter Rear Total Diffused) ±¸Á¶¸¦ °¡Áö¸é¼­ Å¾çÀüÁöÀÇ ¾ç¸éÀÌ ¸ðµÎ Å¾籤À» Èí¼öÇϴ ¾ç¸é¼ö±¤Çü Å¾çÀüÁö¸¦ °³¹ßÇØ 22.8%ÀÇ È¿À²À» ¹ßÇ¥Çß´Ù. ¹Ì±¹ NRELÀÇ °æ¿ì, °íÈ¿À² Å¾çÀüÁöº¸´Ù´Â Å¾籤 ±â¾÷°ú ¿¬°èµÈ ±â¼úÀû ¹®Á¦ ÇØ°áÀ̳ª Å¾籤 ¸ðµâ ¹× ½Ã½ºÅÛÀÇ ½ÇÁõ¿¡ °üÇÑ ¿¬±¸¿¡ ÁýÁßÇÏ°í ÀÖ´Ù.

ÇÑÆí, ÀϺ» Æijª¼Ò´Ð°ú Ä«³×Ä«´Â HBC(Heterojuction Back Contact) ±¸Á¶·Î °¢°¢ 26.33%¿Í 25.6% È¿À²À» °®´Â Å¾çÀüÁö¸¦ °³¹ßÇß°í, Áß±¹ÀÇ Æ®¸®³ª¼Ö¶ó´Â ¾ç»êÇü Å¾çÀüÁö¿¡¼­ Selective Emitter¸¦ Àû¿ëÇÑ PERC(Passivated Emitter and Rear Contact) ±¸Á¶·Î 22.61%ÀÇ ¾ç»êÇü ´Ü°áÁ¤ ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁöÀÇ ¼¼°èÃÖ°í È¿À²À» ¹ßÇ¥Çß´Ù. ¶ÇÇÑ, Â¡ÄÚ¼Ö¶ó´Â °°Àº ±¸Á¶ÀÇ ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö¿¡¼­ 21.63%(Æò±Õ È¿À² 21.1%)ÀÇ È¿À²À» °®´Â ¾ç»êÇü Å¾çÀüÁö¸¦ °³¹ßÇÑ ±â¼úÀ» º¸À¯ÇÏ°í ÀÖ´Ù.

ÀÌ ±â¾÷Àº À̹̠ž籤 Æú¸®½Ç¸®ÄÜ(ÇÑÈ­ÄɹÌÄ®)ºÎÅÍ ½Ã½ºÅÛ±îÁöÀÇ ¼öÁ÷°è¿­È­¸¦ ¼º°øÀûÀ¸·Î ÀÌ·é ÅëÇÕÇü Å¾籤 ±â¾÷À̸ç, 2011³â ´Ù°áÁ¤ ¿þÀÌÆÛ ±â¹Ý È¿À² 19.5%(¾ç»ê ±â¹Ý)·Î ¼¼°èÃÖ°í ¼öÁØÀÇ ±â¼úÀ» È®º¸Çѵ¥ À̾î ÃÖ±Ù¿¡´Â 1366»ç¿¡¼­ ¸¸µç Kerfless Wafer¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ ´Ù°áÁ¤ ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö¿¡¼­ È¿À² 19.1%¸¦ ±â·ÏÇÑ ¹Ù ÀÖ´Ù.½Ç¸®ÄܠžçÀüÁöÀÇ °æ¿ì ÇÑÈ­Å¥¼¿, LGÀüÀÚ¸¦ ÇʵηΠÇö´ëÁß°ø¾÷±×¸°¿¡³ÊÁö, ½Å¼ºÀÌ¿£Áö µîÀÌ ¾ç»ê´Ü°è¿¡¼­ °íÈ¿À²È­ ¹× Àú°¡È­¿¡ ÃÊÁ¡À» ¸ÂÃá ±â¼ú°³¹ßÀ» ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÇÑÈ­Å¥¼¿Àº 2017³â ±âÁؠžçÀüÁö »ý»ê·® 1À§, ¸ðµâ »ý»ê·® 5À§ÀÇ ¸í½Ç°øÈ÷ ±Û·Î¹ú Å¾籤 ¾÷ü·Î¼­ÀÇ ÀÔÁö¸¦ ±»È÷°í ÀÖ´Ù.

ÃÖ±Ù¿¡´Â Q.ANTUM Å¾çÀüÁö ºê·£µå¸¦ ÅëÇؠžçÀüÁö ¸ðµâÀ» ÆǸÅÇÏ°í ÀÖ´Ù. LGÀüÀڴ Àü¸é ¸ÖƼ¿ÍÀ̾â¼ú ¹× ¾ç¸é¼ö±¤Çü ±â¼úÀ» µµÀÔÇѠžçÀüÁö¸¦ ¾ç»êÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¾ç»ê Æò±Õ ¾à 22%ÀÇ °íÈ¿À² Å¾çÀüÁö¸¦ »ý»êÇÏ°í ÀÖ´Ù. Çö´ëÁß°ø¾÷Àº 22% °íÈ¿À² ¹ÚÇü n-type ¼¿ °øÁ¤±â¼úÀ» º¸À¯ÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ¾ç»êÀ» À§ÇÑ Ãß°¡ ¿¬±¸°³¹ß¿¡ ¹ÚÂ÷¸¦ °¡ÇÏ°í ÀÖ´Ù. ½Å¼ºÀÌ¿£Áö´Â ¾ç»êÇü ´Ü°áÁ¤ ÈĸéÁ¡Á¢ÃË ±¸Á¶ÀǠžçÀüÁö¿¡¼­ 21.7%¸¦ ´Þ¼ºÇϴ µî ¿ì¸®³ª¶ó ±â¾÷µéÀÇ ±â¼ú·ÂÀº Àü¹ÝÀûÀ¸·Î ¼¼°è ¼±µÎ±×·ì¿¡ ¼ÓÇÑ´Ù.

ÇÑÆí, Å¾籤 ±â¼úÀ» ¿¬±¸ ÁßÀΠ¿¬±¸¼Ò¿Í ´ëÇÐÀÇ °æ¿ì ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ß¿¡¼­ ±â¾÷°úÀÇ °øµ¿ ¿¬±¸¸¦ ÁøÇàÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, ÁÖ¿ä ¿¬±¸ ±â°üÀ¸·Î´Â Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø, °í·Á´ëÇб³, ¼º±Õ°ü´ëÇб³ µîÀÌ ÀÖ´Ù.

Â÷¼¼´ë °íÈ¿À² Å¾çÀüÁö ±¸Á¶ ´Ü¸éµµ [À̹ÌÁö=Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø Å¾籤¿¬±¸½Ç]

Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿øÀÇ ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö ¿¬±¸ÇöȲ
Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø¿¡¼­´Â Å¾籤 ¿øõ ±â¼úÀ» °³¹ßÇÏ°í Áß¼Ò·Áß°ß±â¾÷ÀÇ °æÀï·Â Á¦°í¸¦ À§ÇѠžçÀüÁö Á¦Á¶°øÁ¤ Áö¿øÀ» ÇÏ°íÀÚ 2016³â 5¿ù ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö Ç÷§Æû ¼¾ÅÍ ¼­ºñ½º¸¦ ½ÃÀÛÇß´Ù.

¿¬±¸¿ø¿¡¼­´Â Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼úÆò°¡¿øÀÇ ¿¡³ÊÁö±â¼ú°³¹ß »ç¾÷ÀΠ‘Å¾籤»ê¾÷ ¿øõ±â¼ú °³¹ß ¹× Áß¼Ò·Áß°ß±â¾÷ °æÀï·Â Á¦°í¸¦ À§ÇÑ ÅëÇÕÇü ±â¼ú°³¹ß Ç÷§Æû ±¸Ãà ¹× ¿î¿µ’ÀÇ Áö¿øÀ» ¹Þ¾Æ ±âÁ¸ÀÇ °áÁ¤Áú ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö ÆÕ ¼¾Å͸¦ ±â¹ÝÀ¸·Î ½Å±Ô Àåºñ ±¸Ãà°ú ¿î¿µ ¹æ¾ÈÀ» ¸¶·ÃÇØ Ç÷§Æû ¼¾Å͸¦ ¿î¿µÇÏ°í ÀÖ´Ù.

Full back Surface Field (BSF) ±¸Á¶¿Í Passivated Emitter and Rear Contact(PERC) ±¸Á¶ÀǠžçÀüÁö Á¦Á¶¿¡ ´ëÇÑ °øÁ¤ Áö¿ø ¼­ºñ½º°¡ °¡´ÉÇϸç, ½Ã°£´ç 100Àå ÀÌ»óÀÇ ThroughputÀ» °¡Áö´Â Àåºñ¸¦ ±¸ÃàÇØ ±â¾÷¿¡¼­ ÇÊ¿ä·Î Çϴ ¼­ºñ½º¸¦ Áö¿øÇÏ°íÀÚ ÇÑ´Ù.

PERC ±¸Á¶ Å¾çÀüÁö ÀÌÈÄÀÇ °íÈ¿À² Å¾çÀüÁö ¾ç»ê±â¼ú·Î¼­ ÁÖ¸ñ¹Þ´Â Â÷¼¼´ë Å¾çÀüÁö ±¸Á¶·Î´Â ½Ç¸®ÄÜ ÀÌÁ¾Á¢ÇÕ(Silicon Heterojunction, HIT), ÅͳÎÁ¢ÇÕ(Tunneling Oxide Passivated Contacts, TOPCon) ¹× ÈĸéÁ¢ÇÕ(Interdigitated Back Contact, IBC) ±¸Á¶ µîÀÌ °Å·ÐµÇ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ Áß, ÈĸéÁ¢ÇÕ ±¸Á¶´Â ½Ç¸®ÄÜ ÀÌÁ¾Á¢ÇÕ/ÅͳÎÁ¢ÇÕ µî ±¸Á¶¿Í º´ÇàÇØ »ç¿ë °¡´ÉÇϸç, Ä«³×Ä«¿¡¼­ ¹ßÇ¥ÇÑ 26.6%ÀÇ ¼¼°è ÃÖ°í±â·Ï Å¾çÀüÁö ¿ª½Ã Èĸé ÀÌÁ¾Á¢ÇÕ ±¸Á¶¸¦ »ç¿ëÇÏ°í ÀÖ´Ù. ÀÌ Â÷¼¼´ë Å¾çÀüÁö ±¸Á¶ÀǠƯ¡À¸·Î´Â ¹Ý¼ÛÀÚ ¼ö¸íÀÌ ±ä n type Wafer¸¦ »ç¿ëÇÏ°í, °íµµÀǠǥ¸é Æнú£À̼Ǡ±â¼úÀ» Àû¿ëÇؠžçÀüÁö ³»ÀÇ Àç°áÇÕÀÌ ÇöÀúÈ÷ ¾ïÁ¦µÇ°í ³ôÀº °³¹æÀü¾ÐÀ» º¸Àδٴ Á¡ µîÀÌ ÀÖ´Ù. 

Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø¿¡¼­´Â ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁö¿¡ ´ëÇÑ °øÁ¤ ¿¬±¸, °øÁ¤Áö¿ø ¼­ºñ½º»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó ´Ù¾çÇÑ ÀÌ·Ð, ½Ç½À ±³À°µµ ¼öÇàÇÏ°í ÀÖÀ¸¸ç, À̸¦ ÅëÇØ ±â¾÷¿¡¼­ ¼öÇàÇÏ°í Àִ R&D ´É·ÂÀ» Çâ»ó½ÃÅ°°íÀÚ ÇÑ´Ù. ½Ç¸®ÄÜ ÀÌÁ¾Á¢ÇÕ ¹× ÅͳÎÁ¢ÇÕ ±¸Á¶ Å¾çÀüÁö Á¦Á¶°øÁ¤¿¡¼­ Æ¯È÷ Ç¥¸é Æнú£À̼ÇÀ» À§ÇÑ ´Ù¾çÇÑ ¹Ú¸· ÁõÂø±â¼úÀÌ ¿ä±¸µÇ¸ç, Ç¥¸é Æнú£À̼ǰú Á¢ÃËÃþÀÇ ¿ªÇÒÀ» µ¿½Ã¿¡ ¼öÇàÇϴ ºÎµ¿ÅÂÈ­ Á¢Á¡(Passivating Contact) ±â¼úÀº Æ¯È÷ ±âÁ¸ Å¾çÀüÁö °øÁ¤¿¡¼­´Â ±¸ÇöµÇÁö ¾Ê´Â ±â¼ú·Î¼­ °íÈ¿À² Å¾çÀüÁö ´ëÀÀ±â¼ú ¿¬±¸°³¹ßÀ» À§Çؼ­´Â Ç¥¸é Æнú£À̼Ǡ´ÜÀ§±â¼úÀÇ °³¹ßÀÌ Áß¿äÇÑ Çٽɱâ¼úÀÇ Çϳª·Î ¿©°ÜÁö°í ÀÖ´Ù. Ç÷§Æû ¼¾ÅÍ¿¡¼­´Â ÇâÈÄ °íÈ¿À² ½Ç¸®ÄܠžçÀüÁöÀΠÈĸéÁ¢ÇÕ ±¸Á¶¿Í ½Ç¸®ÄÜ ÀÌÁ¾Á¢ÇÕ ±¸Á¶¿¡ ´ëÇÑ °øÁ¤ Áö¿ø ¼­ºñ½ºµµ °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÏ¿© ´Ù¾çÇѠžçÀüÁö¿¡ ´ëÇÑ ´ëÀÀÀÌ °¡´ÉÇϵµ·Ï ÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.

[Çѱ¹¿¡³ÊÁö±â¼ú¿¬±¸¿ø ž籤¿¬±¸½Ç ¼ÛÈñÀº ¹Ú»ç (st@infothe.com)]

[ÀúÀÛ±ÇÀÚ © ¼Ö¶óÅõµ¥ÀÌ, ¹«´Ü ÀüÀç ¹× Àç¹èÆ÷ ±ÝÁö]

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